碳化硅功率器件在中高功率的应用中被广泛使用，这主要得益于化合物半导体的宽禁带以及良好的导热性能。

• 瑞能半导体的丰富的碳化硅二极管器件覆盖了从2A-40A， 650V-1200V的应用范围，同时具有多种封装形式包括SMD和插件封装。炭化硅二极管是速度非常快，正温度系数的二极管产品，适合于高功率密度的应用比如维也纳整流电路，PFC升压电路或者逆变电路。瑞能半导体一直在对其碳化硅二极管进行性能优化，最新的第六代的产品能提供很低的导通压降。
• 瑞能碳化硅 MOSFETs 即将发布，第一款碳化硅MOSFET为1200V电压等级，包含160 mΩ、80 mΩ、以及低至30mΩ的等多种规格，主要封装形式为TO247-3L、 TO247-4L及其他工业领域常见封装。650V电压等级碳化硅MOSFET也在开发计划中，主要包含30mΩ和60mΩ等规格。瑞能碳化硅MOSFET为增强型（常闭）器件，是目前诸如高频功率因数校正升压变换器的理想选择。