检测项目：超声波检测（SAT）

覆盖产品：IC，分立器件等产品

检测能力：有分层面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行A-scan（点扫描）、B-scan（纵向扫描）、C-scan（横向扫描）、Through-scan(透射扫描)。

执行标准：IPC/JEDEC

检测项目：样品开封   

覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品

检测能力：激光开封、化学开封、样品剥层。

执行标准：客户要求

检测项目：尺寸测量

覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，IC等分立半导体器件

检测能力：立体成像：最大20-200X；金相成像：最大1000倍；数码成像：最大6000倍

执行标准：JEDEC，AEC或客户自定义等

检测项目：X-ray检测

覆盖产品：IC，分立器件等产品

检测能力：最高分辨率2um。具有空洞面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行二维扫描、三维CT扫描。

执行标准：客户要求

检测项目：去层

覆盖产品：IC，分立器件等产品

检测能力：化学去层。

执行标准：客户要求

检测项目：拍照

覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，IC等分立半导体器件

检测能力：3D拼图，高低倍光学显微镜

执行标准：客户要求
 

检测项目：FIB(聚焦离子束)

覆盖产品：IC，分立器件等产品

检测能力：FIB(聚焦离子束)机台的应用即是将混合镓、液体及金属的离子源，照射于样品表面以取得影像或去除物质； Cross-Section截面分析：用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。

ProbingPad：在复杂IC线路中任意位置引出测试点,以便进一步使用探针台(Probe-station)或E-beam直接观察IC内部信号。

执行标准：客户要求

检测项目：Probe探针测试

覆盖产品：分立器件等产品

检测能力：液晶法-漏电分析，利用液晶感测到IC漏电出分子排列重组，在显微镜下呈现出不同于其他区域的斑状影像，找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域（超过10mA之故障点)。

执行标准：客户要求

检测项目：I-V曲线测试

覆盖产品：分立器件等产品

检测能力：曲线追踪仪(CurveTracer)提供半导体电子组件特性量测、电性故障分析量测(EFA,ElectricalFailureAnalysis)及曲线绘图(IV－CURVE)

执行标准：客户要求

检测项目：SEM/EDX(扫描电子显微镜/能谱仪)

覆盖产品：分立器件等产品

检测能力：扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时，被激发的区域将产生二次电子、X光信号、背散射电子、透射电子，以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。根据信号强度组成形貌照片，能高倍率观察表面外观形貌。原则上讲，利用电子和物质的相互作用，可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息。

执行标准：客户要求